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TI, GaN 전원 제품군에 초소형·초고속 GaN 드라이버 추가

TI가 자사의 갈륨 나이트라이드(GaN) 전력 제품 포트폴리오에 새로운 고속 GaN FET 드라이버 제품 2종을 추가한다고 밝혔다.

이들 신제품은 라이다(LIDAR)나 5G RF 포락선 추적과 같이 속도를 중요하게 요구하는 애플리케이션에서 보다 효율적이고 성능이 우수한 설계를 구현할 수 있도록 한다.

LMG1020과 LMG1210은 50MHz 스위칭 주파수가 가능하고 효율을 향상시키며 실리콘 MOSFET으로는 불가능했던 5배 작은 솔루션 크기를 구현할 수 있다.

LMG1020 60MHz 로우 사이드 GaN 드라이버 제품은 업계에서 가장 우수한 구동 속도와 1ns의 최소 펄스 폭을 특징으로 하는 제품으로서 산업용 라이다 애플리케이션에서 고정밀 레이저를 가능하게 한다.

또 0.8mm x 1.2mm에 불과한 소형화된 WCSP(wafer-level chip-scale) 패키지를 적용함으로써 게이트 루프 기생성 및 손실을 최소화하여 효율성을 더욱 높여준다.

LMG1210은 50MHz 하프브리지 드라이버 제품은 최대 200V의 GaN FET과 함께 사용하기에 적합하도록 설계됐다. 이 제품은 조절 가능한 데드 타임 제어 기능을 포함해 고속 DC/DC 컨버터, 모터 드라이브, 클래스 D 오디오 증폭기, 여타 전원 변환 애플리케이션에서 최대 5%까지 효율을 향상시킨다.

또 300V/ns 이상의 업계 최고 CMTI(공통 모드 과도 내성) 성능을 제공하므로 설계자들이 높은 시스템 잡음 내성을 달성할 수 있다.

LMG1020과 LMG1210은 초고속 전달 지연으로(LMG1020은 2.5ns 및 LMG1210은 10ns) 실리콘 드라이버보다 50배 더 빠른 전력 솔루션을 달성할 수 있다. 또 LMG1020은 고전력 1ns 레이저 펄스를 제공 할 수 있어 원거리 LIDAR 애플리케이션을 구현할 수 있다.

이들 제품을 사용함으로써 고효율 설계가 가능하다. LMG1210은 1pF의 낮은 스위치 노드 커패시턴스와 사용자가 조절 가능한 데드 타임 제어를 제공해 효율을 최대 5%까지 향상시킨다.

LMG1210은 데드 타임을 제어가 가능하므로 필요한 부품 수를 줄이고 효율을 높일 수 있다. 그러므로 개발자가 전원 공급 장치 크기를 최대 80%까지 줄일 수 있다. LMG1020의 향상된 전력 밀도는 업계 최소형 패키지에서 라이다 애플리케이션의 최고 해상도를 가능하게 한다.

LMG1020과 LMG1210은 200V 드라이버에서부터 80V 및 600V 전원 스테이지 제품에 이르기까지 업계에서 가장 다양한 구성의 TI GaN 전원 제품군에 새롭게 추가되는 제품들이다.

1000만시간 이상의 GaN 프로세스 신뢰성 테스트를 거침으로써 TI는 신뢰할 수 있고 사용하기 편리한 GaN 제품에 대한 요구를 충족하며 실리콘 제조에 있어서 지난 수십년간 쌓아온 경험과 기술력을 GaN 기술에 적용하고 있다.

최태우 기자  taewoo@internews.kr

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