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SK하이닉스, 中 우시 확장 팹(FAB) 준공…D램 생산 개시기존 C2와 원 팹(One FAB)으로 생산-운영효율성 확보 전략
이석희 SK하이닉스 CEO [출처=SK하이닉스]

SK하이닉스가 중국 우시에 위치한 C2 확장 팹(FAB)인 C2F 준공식을 갖고 본격적인 가동에 들어간다. 앞서 SK하이닉스는 미세공정 전환에 따른 생산공간 부족 문제 해결을 위해 지난 2016년 생산라인 확장을 결정한 바 있다. 

18일 진행된 준공식 행사에는 리샤오민 우시시 서기, 궈위엔창 강소성 부성장, 최영삼 상하이 총영사, 이석희 SK하이닉스 대표이사와 고객·협력사 대표 등 약 500명이 참석했다.

SK하이닉스는 2004년 중국 장쑤성 우시시와 현지공장 설립을 위한 계약을 체결, 2006년 생산라인을 완공하고 D램을 생산해왔다. C2는 SK하이닉스의 첫 번째 300mm 팹으로 회사 성장을 견인하는 역할을 담당해 왔다. 

사측은 공정미세화 기술로 공정수가 늘고 장비 대형화로 공간 부족 해결을 위해 2017년 6월부터 2019년 4월까지 총 9500억원을 투입, 추가로 반도체 생산공간을 확보했다.

C2F는 건축면적 5만8000㎡(길이 316m, 폭 180m, 높이 51m)의 단층 팹으로 기존 C2 공장과 비슷한 규모다. 현재 C2F의 일부 클린룸 공사는 마무리된 상태며 장비를 입고, 현재 D램 생산을 시작했다. 추가적인 클린룸 공사와 장비입고 시기는 시황에 따라 탄력적으로 결정될 것으로 보인다.

SK하이닉스 우시FAB담당 강영수 전무는 “C2F 준공을 통해 우시 팹의 중장기 경쟁력을 확보하게 됐다“며 “C2F는 기존 C2 공장과 원 팹(One FAB)으로 운영하면서 생산·운영 효율을 극대화할 것”이라고 말했다.

최태우 기자  desk@theinterface.kr

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